IRL3803S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL3803S規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3803S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
108 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO 263 |
161357 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
D2-PAK |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
9896 |
詢價 | |||
IR |
21+ |
TO-263 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
1948+ |
TO-263 |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
TO-263 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 |
