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IRL3803STRRPBF	文件：402.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803V	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803V	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode ?Fa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL3803VL	文件：221.76 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VLPBF	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VPBF	文件：207.29 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VPBF	文件：216.25 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
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IRL3803VS	文件：263.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL3803VSPBF	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VSPBF	文件：279 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLBA3803	文件：120.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLBA3803PPBF	文件：126.19 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLI3803PBF	文件：1.458 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLP3803	文件：295.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=30V,RDS(on)=0.006Ohm,ID=120A)	IRF International Rectifier	IRF
KR3803X	文件：181.1 Kbytes Page：12 Pages	SingleColor?3FlushMountRoundShapeType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
KSM3803	文件：651.78 Kbytes Page：5 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
L3803S	文件：664.57 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
LB3803X	文件：44.97 Kbytes Page：1 Pages	LB.LG3803XSpatialDistribution	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley

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詳細參數(shù)

型號：
IRL3803STRRPBF
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

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