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IRL3803STRL	文件：664.57 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803STRRPBF	文件：402.96 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803V	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803V	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode ?Fa	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL3803VL	文件：221.76 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VLPBF	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VPBF	文件：207.29 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VPBF	文件：216.25 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VS	文件：221.76 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VS	文件：263.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL3803VSPBF	文件：269.85 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3803VSPBF	文件：279 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLBA3803	文件：120.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLBA3803PPBF	文件：126.19 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3803	文件：103.79 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3803PBF	文件：1.458 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLP3803	文件：295.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=30V,RDS(on)=0.006Ohm,ID=120A)	IRF International Rectifier	IRF
KR3803X	文件：181.1 Kbytes Page：12 Pages	SingleColor?3FlushMountRoundShapeType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
KSM3803	文件：651.78 Kbytes Page：5 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
L3803S	文件：664.57 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數

型號：
IRL3803STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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