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IRFB3607	文件：306 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationin SMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?Hi	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3607GPBF	文件：293.98 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFR3607	文件：336.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3607	文件：1.1641 Mbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3607PBF	文件：368.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply ighSpeedPowerSwitching ardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：322.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR3607TRPBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607	文件：813.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelMOSFET Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable ?SuperLowGateCharge Applications ?PowerTools. ?UPS ?SynchronousRectificationinSMPS.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFS3607	文件：189.59 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3607	文件：1.44228 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFS3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi85V,92AN-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFS3607TRLPBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB3607
功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFB3607	IR	13+	TO-220	50000	深圳市勤思達(dá)科技有限公司主營IR系列全新原裝正品,現(xiàn)貨供應(yīng)IRFB3607,歡迎咨詢洽談。	詢價(jià)
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更多IRFB3607供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 11:04:00

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