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IRFR3607PBF	文件：368.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply ighSpeedPowerSwitching ardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607PBF	文件：322.95 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFR3607PBF_15	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3607TRPBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607	文件：1.44228 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS3607	文件：813.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelMOSFET Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable ?SuperLowGateCharge Applications ?PowerTools. ?UPS ?SynchronousRectificationinSMPS.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRFS3607	文件：189.59 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFS3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi85V,92AN-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
IRFS3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationin SMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?Hi	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS3607TRLPBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi85V,92AN-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
IRFSL3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationin SMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?Hi	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3607PBF	文件：372.51 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3607PBF	文件：368.77 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply ighSpeedPowerSwitching ardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheS	IRF International Rectifier	IRF
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詳細參數(shù)

型號：
IRFR3607PBF
功能描述：
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRFR3607PBF供應商更新時間2024-12-26 10:02:00

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