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IRFBE30SPBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa

IRF

International Rectifier

IRFBE30SPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofP

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBE30SPBF

Power MOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare? R

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFBE30SPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFBE30SPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay Siliconix
24+
D2PAK(TO-263)
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
VISHAY/威世
21+
NA
2600
只做原裝,假一罰十
 詢價
Vishay(威世)
2249+
D2PAK(TO-263AB)
58282
二十余載金牌老企 研究所優(yōu)秀合供單位 您的原廠窗口
 詢價
VISHAY(威世)
23+
D2PAK(TO-263AB)
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
VISHAY
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
VISHAY
15+
D2-PAK(TO-263)
4000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
IR
24+
TO-263
200
詢價
VISHAY
23+
D2Pak
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
VISHAY
2020+
TO-263
9500
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
更多IRFBE30SPBF供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 14:14:00

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