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IRFB4227PBF	文件：294.74 Kbytes Page：8 Pages	PDP SWITCH Features ?AdvancedProcessTechnology ?KeyParametersOptimizedforPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ?LowEPULSERatingtoReducePowerDissipationinPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ?LowQGforFastResponse ?HighRepetitivePe	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4227PBF	文件：289.86 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4227PBF_15	文件：289.86 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4227	文件：259.89 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI4227PBF	文件：297.84 Kbytes Page：8 Pages	PDPSWITCH	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4227PBF	文件：296.29 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4227PBF	文件：613.87 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP4227	文件：334.74 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighRepetitivePeakCurrentCapabilityforReliableOperation ?Shortfall&RiseTimesForFastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤21m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4227PBF	文件：2.02386 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi96Ampere,200VoltSiliconN-ChannelPlanarPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFP4227PBF	文件：300.71 Kbytes Page：8 Pages	PDPSWITCH Features ?AdvancedProcessTechnology ?KeyParametersOptimizedforPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ?LowEPULSERatingtoReducePowerDissipationinPDPSustain,EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ?LowQGforFastResponse ?HighRepetitivePeakCurren	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4227PBF	文件：302.56 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4227PBF	文件：325.75 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-247packaging ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspeedswitching ?Hardswitchedandhighfrequencycircuits ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4227	文件：334.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS4227PBF	文件：302.21 Kbytes Page：9 Pages	PDPSWITCH Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4227PBF	文件：363.33 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4227PBF	文件：363.33 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4227TRLPBF	文件：363.33 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4227	文件：313.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFSL4227PBF	文件：363.33 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description ThisHEXFETPowerMOSFETisspecificallydesignedforSustain,EnergyRecovery&PassswitchapplicationsinPlasmaDisplayPanels. Features ●AdvancedProcessTechnology ●KeyParametersOptimizedforPDPSustain, EnergyRecoveryandPassSwitchApplications ●LowEPULSE	IRF International Rectifier	IRF
LA4227	文件：155.32 Kbytes Page：4 Pages	AudioOutputforRadioCassetteRecorders3W?2chPowerAmplifier Overview LA4227isa3W2-channelpoweramplifier.ThisICrequiresfewexternalcomponentsandisidealforpoweramplifierusedforradiocassetteplayers/recorders. Functions ?3W×2channel(VCC=9V,RL=3?) ?Standbyswitchonchip ?Thermalshutdownprotectoronchip	SANYOSanyo 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFB4227PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市智芯遠(yuǎn)電子有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON	22+	TO-220	6000	原裝正品現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON	23+		40000	原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市中正中芯電子科技有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON	22+	TO-220	3000	原廠渠道商市場(chǎng)低價(jià)買(mǎi)貴就賠	詢(xún)價(jià)
深圳市近平電子有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON	24	TO-220	15000	原裝正品現(xiàn)貨假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市富利微電子科技有限公司	IRFB4227PBF	IR	23+	TO-220	12000	原裝正品假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFB4227PBF	IR	2020+	TO-220	9600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢(xún)價(jià)
深圳市中賽美電子科技有限公司	IRFB4227PBF	Infineon/英飛凌	TO-220	21+	5000	中賽美只做原裝沒(méi)有任何中間商差價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON/英飛凌	2122+	QFN48	16000	原裝正品,假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	IRFB4227PBF	INFINEON/IR	1907+	NA	12000	20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨	詢(xún)價(jià)
深圳市銓博晟科技有限公司	IRFB4227PBF	INF	22+		30000	原裝現(xiàn)貨,假一罰十,可含稅原進(jìn)項(xiàng)	詢(xún)價(jià)

更多IRFB4227PBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 14:18:00

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