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IRFB3607PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFB3607PBF
廠商型號(hào)

IRFB3607PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

425.92 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 16:12:00

IRFB3607PBF規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and

Avalanche SOA

? Enhanced body diode dV/dt and dI/dt

Capability

Applications

? High Efficiency Synchronous Rectification in

SMPS

? Uninterruptible Power Supply

? High Speed Power Switching

? Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFB3607PBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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