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VNN1NV04TR-E	文件：546.08 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負載驅(qū)動器描述：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04	文件：406.97 Kbytes Page：33 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D	文件：244.38 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D	文件：249.88 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D-E	文件：252.12 Kbytes Page：14 Pages	??MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower?M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DPTR-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower?M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04P-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VNN1NV04TR-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器
系列：
OMNIFET II?, VIPower?
包裝：
管件
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負載：
36V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
1.7A
導通電阻（典型值）：
250 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
故障保護：
限流（固定），超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應商器件封裝：
SOT-223
封裝/外殼：
TO-261-4，TO-261AA
描述：
IC PWR MOSFET N-CHAN 1

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