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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
VNP10N06FI	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP10N06FI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 整包類別：集成電路（IC）配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220FP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
EMD10N06A	文件：224.35 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD10N06E	文件：230.25 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)10mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HM10N06Q	文件：749.32 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
KI10N06DY	文件：716 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
LMAK10N06	文件：1.90426 Mbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MTM10N06E	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP10N06	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTP10N06E	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SDD10N06	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SDD10N06	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
SDP10N06	文件：1.10774 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SK10N06	文件：963.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
SSPR10N06-C	文件：322.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TSJ10N06AT	文件：790.93 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微無(wú)錫紫光微電子有限公司	WUMC
TSM10N06	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM10N06CP	文件：2.38028 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
TSM10N06CPRO	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
VND10N06	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VNP10N06FI
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器
系列：
OMNIFET?, VIPower?
包裝：
管件
開(kāi)關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
1
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
低端
輸出類型：
N 通道
接口：
開(kāi)/關(guān)
電流 - 輸出（最大值）：
6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
150 毫歐
輸入類型：
非反相
故障保護(hù)：
限流（固定），超溫，過(guò)壓
安裝類型：
通孔
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220FP
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	VNP10N06FI	ST		TO-220	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	VNP10N06FI	ST	24+	TO220ISOFULLPACK	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	VNP10N06FI	ST	23+	TO220ISOFULL	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	VNP10N06FI	STMicroelectronics	23+	TO-220FP	66800	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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更多VNP10N06FI供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-22 14:00:00

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