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VNP5N07FI

fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP5N07FI

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.

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VNP5N07FI

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP5N07FI

Package：ISOWATT-220-3；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07

OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07

OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07

fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07-E

fullyautoprotectedPowerMOSFET

Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics?VIPower?M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07FI

OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VND5N07FM

OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VNP5N07FI

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    55V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    3.5A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    200 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 特性：

    狀態(tài)標(biāo)志

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOWATT-220

  • 封裝/外殼：

    ISOWATT-220-3

  • 描述：

    IC PWR DRVR N-CH 1

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
24+
TO220ISOFULLPACK
8866
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TO-220
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ST/意法
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TO-220F-3
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ST
22+
ISOWATT220
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多VNP5N07FI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 16:00:00

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