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STGYA120M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGYA120M65DF2
廠商型號

STGYA120M65DF2
參數(shù)屬性

STGYA120M65DF2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
IGBT
文件大小

958.25 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-19 22:59:00

STGYA120M65DF2規(guī)格書詳情

STGYA120M65DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGYA120M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGYA120M65DF2AG

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，120A

  • 開關(guān)能量：

    1.8mJ（開），4.41mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    66ns/185ns

  • 測試條件：

    400V，120A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    MAX247?

  • 描述：

    IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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