首頁>STGY50NB60>規(guī)格書詳情

STGY50NB60中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGY50NB60
廠商型號

STGY50NB60

功能描述

N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT

文件大小

45.1 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-26 8:25:00

人工找貨

STGY50NB60價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

STGY50NB60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (VCESAT)

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ VERY HIGH FREQUENCY OPERATION

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH? ANTIPARALLEL DIODE

APPLICATIONS

■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS

■ WELDING EQUIPMENTS

■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STGY50NB60

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 50 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
TO-247
1200
詢價
STMicroelectronics
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ST/意法
22+
TO247MAX
96470
詢價
ST
2208+
TO-247
15621
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
ST
21+
TO-247
600
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ST(意法)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
詢價
STMicro.
23+
Max247
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
ST/意法
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
詢價
ST
24+
原廠原封
6523
進口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品
詢價
ST
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價