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STGWT60H60DLFB分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT60H60DLFB
廠商型號

STGWT60H60DLFB

參數屬性

STGWT60H60DLFB 封裝/外殼為TO-3P-3,SC-65-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 60 A high speed
IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

文件大小

1.49947 Mbytes

頁面數量

17

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體(ST)集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-19 22:59:00

STGWT60H60DLFB規(guī)格書詳情

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Low VF soft recovery co-packaged diode

? Lead free package

Applications

? Induction heating

? Microwave oven

? Resonant converters

STGWT60H60DLFB屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導體(ST)集團制造生產的STGWT60H60DLFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGWT60H60DLFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,60A

  • 開關能量:

    626μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/160ns

  • 測試條件:

    400V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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