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STGWT40V60DLF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWT40V60DLF
廠商型號

STGWT40V60DLF
參數(shù)屬性

STGWT40V60DLF 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
文件大小

1.28659 Mbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-10-25 17:48:00

STGWT40V60DLF規(guī)格書詳情

STGWT40V60DLF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體（ST）集團制造生產(chǎn)的STGWT40V60DLF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGWT40V60DLF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    411μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/208ns

  • 測試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
180
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
ST
23+
TO-3P
16900
正規(guī)渠道,只有原裝!
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ST/意法
23+
TO-3P
90000
只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術(shù)支持
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TO-3P
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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589220
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22+
TO3P
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83268959鄒小姐
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ST
24+
TO-3P
200000
原裝進口正口,支持樣品
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ST
22+
TO-3P
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
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