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PHD3055E

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PHD3055E

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?DC/ACInverters ?MotorDrives

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

PHD3055L

PowerMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP3055

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP3055E

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP3055E

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly Featuresandbenefits ■Lowconduct

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

PHP3055L

PowerMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePo

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHX3055E

N-channelTrenchMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopewithanelectricallyisolatedmountingtab.Thedeviceuses’trench’technologytoachievelowon-stateresistance. FEATURES ?’Trench’technology ?Lowon-stateresistance ?Fastswitching ?

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHX3055L

PowerMOStransistorLogiclevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticfull-packenvelope.Thedevicefeatureshighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforus

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PVA3055N

MicroelectronicPowerICHEXFETPowerMOSFETPhotovoltaicRelaySingle-Pole,Normally-Open0-300VAC/DC,50mA

IRF

International Rectifier

產品屬性

  • 產品編號：

    OK3055E-R52

  • 制造商：

    Ohmite

  • 類別：

    電阻器 > 通孔式電阻器

  • 系列：

    Little Rebel? OK

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±5%

  • 功率 (W)：

    0.25W，1/4W

  • 成分：

    炭膜

  • 溫度系數(shù)：

    -800/ +1500ppm/°C

  • 封裝/外殼：

    軸向

  • 供應商器件封裝：

    軸向

  • 大小 / 尺寸：

    0.098" 直徑 x 0.268" 長（2.50mm x 6.80mm）

  • 描述：

    RES 3M OHM 5% 1/4W AXIAL

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多OK3055供應商 更新時間2025-4-17 8:00:00

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