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MRF8S18260HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--Car

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8S18260HSR6

包裝:管件 封裝/外殼:SOT-1110B 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8S18260HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.81GHz

  • 增益:

    17.9dB

  • 功率 - 輸出:

    74W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1110B

  • 供應商器件封裝:

    NI1230S-8

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8S18260HSR6供應商 更新時間2024-12-26 15:09:00