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MRF8S9200NR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

920-960MHz,58WAVG.,28VSINGLEW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8S9200NR3

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8S9200NR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：OM-780-2 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 70V 940MHZ OM780-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF8S9200NR3_10

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8S9200NR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    940MHz

  • 增益：

    19.9dB

  • 功率 - 輸出：

    58W

  • 封裝/外殼：

    OM-780-2

  • 供應商器件封裝：

    OM-780-2

  • 描述：

    FET RF 70V 940MHZ OM780-2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8S9200NR3供應商 更新時間2024-12-26 15:01:00

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