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MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S21200HR6

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:NI-1230 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF8S21200HR6_10

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8S21200HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    18.1dB

  • 功率 - 輸出:

    48W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8S21200HR6供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 15:00:00