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MRF8S21100HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF8S21100HSR3

包裝：托盤 封裝/外殼：NI-780S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8S21100HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.17GHz

  • 增益：

    18.3dB

  • 功率 - 輸出：

    24W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 65V 2.17GHZ NI780S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF8S21100HSR3供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 17:09:00

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