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IXGT72N60B3

GenX3 B3-Class IGBTs

GenX3?B3-ClassIGBTs MediumSpeedlowVsatPTIGBTs5-40kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?AvalancheRated ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInver

IXYS

IXYS Corporation

IXGT72N60B3

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXYS Corporation

IXGT72N60B3

包裝：管件 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 540W TO268

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IXGH72N60B3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

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GenX3B3-ClassIGBTs

GenX3?B3-ClassIGBTs MediumSpeedlowVsatPTIGBTs5-40kHzSwitching Features ?OptimizedforLowConductionandSwitchingLosses ?SquareRBSOA ?AvalancheRated ?InternationalStandardPackages Advantages ?HighPowerDensity ?LowGateDriveRequirement Applications ?PowerInver

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXGT72N60B3

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    GenX3?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.38mJ（開），1.05mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    31ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，50A，3 歐姆，15V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 540W TO268

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXGT72N60B3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 10:18:00

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