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IXKH35N60C5

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

N-ChannelEnhancementModeLowRDSon,HighVDSSMOSFETUltralowgatecharge Features ?fastCOOLMOS?*powerMOSFET4thgeneration -Highblockingcapability -Lowestresistance -Avalancheratedforunclampedinductiveswitching(UIS) -Lowthermalresistanceduetored

IXYS

IXYS Corporation

IXKH35N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXKH35N60C5

  • 功能描述：

    MOSFET 35 Amps 600V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IXKH35N60C5供應商 更新時間2024-12-25 11:05:00

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