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IXGQ170N30PB

Polar High Speed IGBT for PDP Applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGQ170N30PB

包裝：管件 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 300V 170A 330W TO3P

IXYS

IXYS Corporation

IXFB170N30P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFB170N30P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN170N30P

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=138A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN170N30P

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN170N30P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

RM170N30DF

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

RECTRON

Rectron Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGQ170N30PB

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Polar?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，85A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 300V 170A 330W TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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IXYS
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更多IXGQ170N30PB供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 11:28:00

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