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IXFR44N50Q3

Preliminary Technical Information

N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicRectifier VDSS=500V ID25=25A RDS(on)≤154mΩ trr≤250ns Features SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate IsolatedMountingSurface LowIntrinsicGateResistance 2500V~ElectricalIsolation FastIntrinsicRect

IXYS

IXYS Corporation

IXFH44N50Q3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH44N50Q3

HiperFETTMPowerMOSFETsQ3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier VDSS=500V ID25=44A RDS(on)≤140mΩ trr≤250ns Features LowIntrinsicGateResistance InternationalStandardPackages LowPackageInductance FastIntrinsicRectifier LowRDS(on)andQG

IXYS

IXYS Corporation

IXFT44N50Q3

HiperFETTMPowerMOSFETsQ3-Class

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicRectifier VDSS=500V ID25=44A RDS(on)≤140mΩ trr≤250ns Features LowIntrinsicGateResistance InternationalStandardPackages LowPackageInductance FastIntrinsicRectifier LowRDS(on)andQG

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFR44N50Q3

  • 功能描述：

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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原裝正品 華強現(xiàn)貨
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IXYS
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TO2473
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公司只售原裝,支持實單
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IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
更多IXFR44N50Q3供應(yīng)商 更新時間2025-2-20 18:35:00

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