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IXFT50N30Q3

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

IXYS

IXYS Corporation

IXFH50N30Q3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH50N30Q3

HiperFETTMPowerMOSFETsQ3-Class

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXFT50N30Q3

  • 功能描述:

    MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IXFT50N30Q3供應商 更新時間2025-6-2 14:13:00