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IXFH10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFET Power MOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM10N60	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N60	文件：296.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.74Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N60P	文件：396.93 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXGA10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGP10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH10N60A	文件：217.16 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTA10N60P	文件：246.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVPowerMOSFET PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA10N60P	文件：158.52 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：71.98 Kbytes Page：1 Pages	10AMP,600V,0.55-ohm/0.7-ohm 10AMP,600V,0.55Ω/0.7Ω	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH10N60	文件：367.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFH10N60
制造商：
IXYS
制造商全稱：
IXYS Corporation
功能描述：
HIPERFET Power MOSFTETs

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFH10N60	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFH10N60	IXYS	20+	TO-247	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXFH10N60	IXYS	24+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時(shí)可以發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	IXFH10N60	IXYS	24+	TO-247	564		詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFH10N60	IXYS/艾賽斯	22+	247	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IXFH10N60	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IXFH10N60	IXYS/艾賽斯	22+	TO-247	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市科芯源微電子有限公司	IXFH10N60	IXYS/艾賽斯	24+	TO247	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	IXFH10N60	IXYS	24+	TO-247	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFH10N60功率三極管	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)

更多IXFH10N60供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 9:00:00

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