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IXFC80N10	文件：70.75 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220 HiPerFET?MOSFETISOPLUS220? ElectricallyIsolatedBackSurface Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFC80N10	文件：323.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10	文件：371.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS80N10CF-O-C-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10F	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10FF-O-F-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-A	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10WF-O-W-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
SFF80N10M	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF80N10Z	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IXFC80N10
功能描述：
MOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IXFC80N10	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IXFC80N10	IXYS	23+	TO-220	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IXFC80N10	IXYS/艾賽斯	23+	ISOPLUS220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IXFC80N10	IXYS	22+	ISOPLUS220?	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IXFC80N10	IXYS/艾賽斯	22+	ISOPLUS220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
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更多IXFC80N10供應(yīng)商更新時間2024-10-26 9:02:00

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