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IRL3303LPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303PBF	文件：1.33662 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303S	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3303SPBF	文件：297.33 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3303	文件：154.82 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303	文件：161.97 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLL3303PBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：1.05098 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR/U3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
J3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
KA3303	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRL3303LPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRL3303LPBF	IR	24+	TO-262-3	7		詢價
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更多IRL3303LPBF供應(yīng)商更新時間2024-12-24 9:45:00

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