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IRLL3303TRPBF	文件：169.96 Kbytes Page：9 Pages	Surface Mount	IRF International Rectifier	IRF
IRLL3303TRPBF	文件：1.05098 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLR/U3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
J3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
KA3303	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KA3303D	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KNG3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KNX3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KNY3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KSMD3303	文件：620.03 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3303	文件：620.5 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LL3303	文件：1.00969 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AEC-Q101Qualifiedc ?100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
LM3303	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRLL3303TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRLL3303TRPBF	Infineon/英飛凌	20+	SOT223	12238	終端可免費提供樣品,歡迎咨詢	詢價
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IRLL3303TRPBF	IR		SOT223	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價
深圳市金華微盛電子有限公司	IRLL3303TRPBF	INFINEON/英飛凌	2019+	SOT223	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	IRLL3303TRPBF	IR	2020+	SOT-223	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市珩瑞科技有限公司	IRLL3303TRPBF	IR	21+	SOT-223	6000	原裝正品	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRLL3303TRPBF	IR	20+	SOT223	300000	原裝正品可含稅交易	詢價
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深圳市高捷芯城科技有限公司	IRLL3303TRPBF	Infineon(英飛凌)	23+	SOT-223-4	9555	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價

更多IRLL3303TRPBF供應(yīng)商更新時間2024-10-23 13:00:00

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