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IRFR210BTF	文件：1.37366 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR210BTM	文件：1.37367 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR210PBF	文件：2.15484 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR210PBF	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR210PBF	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR210PBF	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR210TR	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR210TRA	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR210TRL	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR210TRLA	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFM210B
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
200V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFM210B	FAIRCILD	23+	SOT223	9526		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD/仙童	2022+	SOT223	29880	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市恒達(dá)億科技有限公司	IRFM210B	FAIRCHIL	23+	SOT-223	4500	全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT223	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD/仙童	2022+	SOT-223	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT223	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFM210B	FAIRCHILD/仙童	23+	SOT223	7000		詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFM210BTF	FSC	25+23+	SOT-223	28915	絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市正邁科技有限公司	IRFM210BTF	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	8000	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價(jià)

更多IRFM210B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-1 9:00:00

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