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IRFM350	文件：203.26 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315?14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：20.74 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM350_15	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：212.67 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=0.315ohm,Id=14A) RDS(on)0.315? ID14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：276.84 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：57.28 Kbytes Page：7 Pages	16A,400V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP350	文件：161.9 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFP350	文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRFM350
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 400V 14A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 400 V 150 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-254AA
功能描述：
N CH MOSFET, 400V, 14A, TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
14A; Drain Source Voltage
Vds：
400V; On Resistance
Rds(on)：
315mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
3;RoHS
Compliant：
No

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市賽芯源科技有限公司	IRFM350	IR	2021+	TO-254AA	2220	原裝正品，誠信經(jīng)營。假一賠十	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	IRFM350	IR	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
深圳市誠利順電子科技有限公司	IRFM350	IR	25+	TO-254	6500	十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費送	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM350	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
千層芯半導體(深圳)有限公司	IRFM350	IR	24+	SMD	1680	IR專營品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市達恩科技有限公司	IRFM350	IR	24+	TO-257	200	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFM350	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品軍工級部分訂貨	詢價
深圳市納立科技有限公司	IRFM350	IR	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價
瑞航達科技(深圳)有限公司	IRFM350	IR			638	原裝正品	詢價
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFM350	IR	24+	TO-257	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價

更多IRFM350供應(yīng)商更新時間2022-6-12 10:12:00

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