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IRFN140SMD	文件：22.56 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP140	文件：104.33 Kbytes Page：7 Pages	31A,100V,0.077Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP140	文件：1.82938 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclud	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140	文件：1.76683 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140	文件：444.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforapplicationsuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordriversandsoon. FEATURES ?DrainCurrent–ID=31A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.077Ω(Max) ?SOAispowerdissipati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP140	文件：1.78938 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140	文件：1.00904 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Not	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140A	文件：256.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.041Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP140A	文件：277.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP140N	文件：158.05 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0,052ohm,Id=33A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140N	文件：126.76 Kbytes Page：10 Pages	33A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040?,VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels -www.intersil.com ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP140N	文件：334.21 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP140NPBF	文件：345.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140NPBF	文件：353.99 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140NPBF	文件：1.68131 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFP140PBF	文件：1.22262 Mbytes Page：8 Pages	Preferredforcommercail-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices. Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternatioalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP140PBF	文件：1.82938 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredfor commercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclud	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140PBF	文件：1.78938 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP140R	文件：69.39 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS140	文件：265.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFN140SMD
制造商：
SEME-LAB
制造商全稱：
Seme LAB
功能描述：
N-CHANNEL POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFN150	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市納立科技有限公司	IRFN150	IR	三年內(nèi)		1983	只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFN150	IR	23+	SMD	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價(jià)
深圳市藍(lán)山航業(yè)科技有限公司	IRFN150		24+	長期備有現(xiàn)貨	500000	行業(yè)低價(jià),代理渠道	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	IRFN150	CHINA	22+	SMD-1	640	航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRFN150	IR	22+	NA	30000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFN150	IR	22+	SMD-1	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	IRFN150	INFINEON	23+	C-CCN-3	14253	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFN150	IR	23+	SMD-1	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFN150	IR	23+	SMD-1	7000		詢價(jià)

更多IRFN140SMD供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 9:01:00

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