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IRFI9Z34NPBF	文件：274.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
KSM9Z34	文件：661.53 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SFI9Z34	文件：275.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFI9Z34	文件：288.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175oCOperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ?LowRDS(ON):0.106?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFP9Z34	文件：236.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10μA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.106?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFP9Z34	文件：281.45 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFP9Z34	文件：956.52 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFS9Z34	文件：272.12 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFS9Z34	文件：284.26 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES νAvalancheRuggedTechnology νRuggedGateOxideTechnology νLowerInputCapacitance νImprovedGateCharge ν175°COperatingTemperature νExtendedSafeOperatingArea νLowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V νLowRDS(ON):0.106?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFW9Z34	文件：362.92 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
SFW9Z34	文件：288.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175oCOperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-60V ?LowRDS(ON):0.106?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SFWI9Z34	文件：288.32 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SIHF9Z34	文件：7.49754 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedP-Channel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHF9Z34	文件：2.09213 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHF9Z34L	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHF9Z34S	文件：204.41 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Advancedprocesstechnology ?Surfacemount(IRF9Z34S,SiHF9Z34S) ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?P-channel ?Fullyavalancherated ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatasheetprovidesin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHF9Z34S	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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SIHF9Z34STR	文件：2.46013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SIHFI9Z34G	文件：1.44545 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay

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詳細參數(shù)

型號：
IRFI9Z34NPBF
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
HEXFET Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFI9Z34NPBF	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFI9Z34NPBF	IR/VISHAY	23+	TO-220F	126000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	IRFI9Z34NPBF	IR		TO-220F	68500	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFI9Z34NPBF	IR	22+	TO-220F	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFI9Z34NPBF	IR	23+	TO-220F	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFI9Z34NPBF	IR	23+	TO-220F	7000		詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFIB11N50A	VIS	2048+	TO-220F	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	IRFIB11N50A	INFINEON/英飛凌	24+	TO220F	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	IRFIB11N50APBF	Vishay	17+	TO-220F	6200		詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	IRFIB11N50APBF	VISHAY	20+	TO-220F	38560	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價

更多IRFI9Z34NPBF供應(yīng)商更新時間2025-1-3 9:01:00

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