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IRFIZ48G

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A)

PowerMOSFET(Vdss=60VRds(on)=0.018ohmId=37A)

IRF

International Rectifier

IRFIZ48G

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditional?insulatinghardwareincommercial-industrialappl

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48G

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFIZ48G

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

IRFIZ48G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditional?insulatinghardwareincommercial-industrialappl

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48G_09

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFIZ48G_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRFIZ48G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 37 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
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TO-220F
31518
原裝正品 可含稅交易
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更多IRFIZ48G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 10:00:00