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IRFIZ34E	文件：114.58 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.042ohm, Id=21A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34EPBF	文件：262.04 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34G	文件：285.12 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34G	文件：3.01432 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34G	文件：1.56298 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34G_V01	文件：1.56298 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34GPBF	文件：3.01432 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplica	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34GPBF	文件：1.32181 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET? Power MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34N	文件：105.19 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34NPBF	文件：270.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET? Power MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34V	文件：105.39 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=28mohm, Id=20A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34VPBF	文件：214.29 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ34A	文件：275 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFIZ34G	文件：319.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34G_09	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34GPBF	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFIZ34N	文件：260.26 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFIZ34NPBF	文件：271.31 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFIZ34
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤思達科技有限公司	IRFIZ34E	IR	2015+	TO-220F	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRFIZ34E	IR	16+	原廠封裝	5000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市一線半導體有限公司	IRFIZ34E	IR	24+	TO-220FullPak(Iso)	8866		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFIZ34E	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFIZ34E	IR	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFIZ34E	IR	1822+	TO-220F	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!	詢價
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更多IRFIZ34供應商更新時間2025-1-6 11:04:00

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