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IRF4104S	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104S	文件：254.18 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF4104SPBF	文件：330.4 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=5.5mohm,Id=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104	文件：4.166479 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR4104	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：4.17531 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：273.67 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=5.5m廓,ID=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitch	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：4.26019 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104PBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104PBF	文件：4.06248 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104TRL	文件：5.01632 Mbytes Page：13 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4104TRLPBF	文件：190.64 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104TRPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4104TRPBF	文件：1.12929 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRFR4104TRR	文件：5.03307 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU4104	文件：182.26 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=40V,Rds(on)=5.5mohm,Id=42A) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitc	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRF4104S
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市美思瑞電子科技有限公司	IRF4104S	IR	22+	D2-PAK	9450	原裝正品，實(shí)單請聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRF4104S	IR	24+	TO-263	501288	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRF4104S	IR	1415+	TO-263	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRF4104S	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRF4104S	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRF4104S	IR	23+	TO-263	35890		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRF4104S	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRF4104S	IR	23+	TO-263	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市錦喆鴻電子有限公司	IRF4104S	IR	21+	TO-263	12588	原裝正品,自己庫存假一罰十	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF4104S	IR	20+	D2-Pak	36900	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多IRF4104S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:16:00

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