黑白潜行免费观看高清,嫩交无码性无码专区

首頁 >IRF530NSTRLPBF>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NSTRRPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRF530PBF	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530PBF	文件：280.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF530R	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530S	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530S	文件：180.1 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530S	文件：1.00811 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRF530S	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530SPBF	文件：1.83154 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530SPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530SPBF	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRLPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRLPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRRPBF	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530STRRPBFA	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFI530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF530NSTRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市富利微電子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	23+	TO-263	8816	保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	2020+	TO-263	9600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	22+	TO-263-2	800	原裝正品可支持驗(yàn)貨,歡迎咨詢	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IRF530NSTRLPBF	Infineon Technologies	24+	D2PAK	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市龍瀚電子有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	16+	TO-263	6323	全新原裝/深圳現(xiàn)貨庫2	詢價(jià)
深圳市鴻博高科電子有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	20+	TO-263	50000		詢價(jià)
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON	2036+		1100	全新原裝!優(yōu)勢庫存熱賣中!	詢價(jià)
深圳市芯祺盛科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	18+	TO-263	20	主營IR可含稅只做全新原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	IR	23+	TO-263	2400	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	IRF530NSTRLPBF	INFINEON/英飛凌	24+	TO-252-3	90	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對優(yōu)勢	詢價(jià)

更多IRF530NSTRLPBF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 18:14:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存