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IRF450

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?13A,500V ?RDS(on)=0.4Ω ?SOAisPowerDissipationLimited ?LinearTransferCharacteristics ?RelatedLiterature APPLICATIONS ?Designedforapplicationssuchasswitchingregulators, switchingconvertors,motordrivers,relaydriver,anddrivers forhighpowerbipola

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF450

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrol,circuitsUPSandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNellIRF450isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof14A,fastswitchingsp

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

IRF450

N-CHANNE POWER MOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF450

13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF450

13A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRF450

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.400ohm, Id=12A)

TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio

IRF

International Rectifier

IRF450

N-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF450

N-CHANNEL POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRF450

N-CHANNEL POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRF450_10

N-CHANNEL POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRF450

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
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原廠授權(quán)一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！
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原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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23+
TO-3
5000
原裝正品,假一罰十
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IR
2020+
TO-3
200
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多IRF450供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 15:32:00

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