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IPB120N06S4-H1

OptiMOS-T2 Power-Transistor

Features ?N-channel-Enhancementmode ?AECQ101qualified ?MSL1upto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?GreenProduct(RoHScompliant) ?100Avalanchetested

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IPB120N06S4-H

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-263
17042
原裝進口假一罰十
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INFINEON
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全新原裝公司現(xiàn)貨
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12000
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原裝現(xiàn)貨當天可交貨,長期備貨支持BOM配單賬期
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D2PAK
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Infineon(英飛凌)
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TO-263-3
9048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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更多IPB120N06S4-H供應商 更新時間2024-12-22 14:04:00