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IPB80N04S3-06

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD80N04S3-06

OptiMOS-TPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD80N04S3-06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

·FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):5.2mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IPI80N04S3-06

OptiMOS-TPower-Transistor

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OptiMOS-TPower-Transistor

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詳細參數

  • 型號：

    IPB80N04S3-06

  • 功能描述：

    MOSFET OPTIMOS -T PWR-TRANS 40V 80A 5.8mOhMS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
TO263-3-2
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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INFINEON
24+
PG-TO263-3D2-PAK(T
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