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CEB20P06	文件：743.03 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-14A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB20P06	文件：103.82 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB20P06	文件：441.65 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED20P06	文件：610.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED20P06	文件：143.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-13A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP20P06	文件：103.82 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP20P06	文件：743.03 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-14A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU20P06	文件：610.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU20P06	文件：143.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-13A,RDS(ON)=105m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM20P06PAPT	文件：184.65 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT13Ampere FEATURE Smallflatpackage.(TO-252A) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
EMB20P06A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
ME20P06	文件：985.5 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：988.41 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MTD20P06	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20P06HDL	文件：308.53 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	Motorola Motorola, Inc	Motorola
MTD20P06HDL	文件：91.91 Kbytes Page：8 Pages	P??hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：307.49 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP20P06SLG	文件：988.13 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP20P06SLG	文件：299.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEB20P06
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	CEB20P06	CET	12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	CEB20P06	SR	23+	T0-263	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	CEB20P06	CET	24+	TO-263	90000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	CEB20P06	CET	20+	TO-263	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	CEB20P06	CET	2020+	TO-263	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	CEB20P06	CET	2020+	TO-263	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	CEB20P06	CET/華瑞	21+	TO-263	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	CEB20P06	CET	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CEB20P06	CET	21+	TO-263	9	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	CEB20P06	CET	22+	TO-263	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多CEB20P06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 11:04:00

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