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CEB7030	文件：515.73 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V,65A,RDS(ON)=8m?@VGS=10V. RDS(ON)=12m?@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CST7030	文件：173.36 Kbytes Page：2 Pages	CurrentSenseTransformers	COILCRAFTCoilcraft lnc. 線藝美國線藝公司	COILCRAFT
CTSFW7030F	文件：248.47 Kbytes Page：2 Pages	PowerInductors-Shielded	CT Central Technologies	CT
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DFEG7030D	文件：247.15 Kbytes Page：1 Pages	Lowaudiblecorenoise	Toko TOKO, Inc	Toko
DFEH7030D	文件：247.41 Kbytes Page：1 Pages	Lowaudiblecorenoise	Toko TOKO, Inc	Toko
DVP-7030E	文件：675.46 Kbytes Page：2 Pages	4-chH.264/MPEG-4PCIVideoCaptureCardwithSDK	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司	ADVANTECH
EN7030	文件：647.49 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASingle-PhaseBridgeRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
EV-VND7030AJ	文件：438.11 Kbytes Page：7 Pages	OFF-stateopen-loaddetection	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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FDB7030BLS	文件：82.84 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrench?SyncFET? GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP7030BLSincludesanintegratedSchottk	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDB7030L	文件：471.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD7030	文件：126.76 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
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FDD7030BL	文件：331.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.95mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDD7030BL	文件：1.0433 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features ?VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CEB7030
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多CEB7030供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 15:12:00

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