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CHM20P06PAPT

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

VOLTAGE60VoltsCURRENT13Ampere FEATURE *Smallflatpackage.(TO-252A) *HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). *Ruggedandreliable. APPLICATION *Servomotorcontrol. *PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.

CHENMKOchenmko

力勤股份有限公司

EMB20P06A

P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

ME20P06

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

MTD20P06

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

MTD20P06

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD20P06HDL

P??hannelDPAKPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTD20P06HDL

TMOSPOWERFETLOGICLEVEL15AMPERES60VOLTSRDS(on)=175MOHM

HDTMOSE-FET?PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NP20P06SLG

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP20P06SLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP20P06SLG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NP20P06SLG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NP20P06YLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP20P06YLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=47m?MAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)=64m?MAX.(VGS=–5V,ID=–10A) RDS(on)=70m?MAX.(VGS=–4.5V,ID=–10A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NTD20P06HD

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NTD20P06L

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20P06L

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=-5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NTD20P06L

PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20P06L

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20P06L

PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20P06LG

PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP??hannel,DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTD20P06LG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    CHM20P06PAPT

  • 制造商:

    CHENMKO

  • 制造商全稱:

    Chenmko Enterprise Co. Ltd.

  • 功能描述:

    P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CHENMKO
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
詢價
CHENMKO
23+
SO-8
39000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
CHENMKO
23+
SO-8
627087
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
16+
SC-59
85000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠鋒牸鍙皥!
詢價
力勤/Chenmko
20+
SC-59
36800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
力勤/Chenmk
2023+
SC-59
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
力勤/Chenmko
24+
SC-59
18800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!
詢價
CHENMKO
22+
SC-59
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
詢價
力勤/CHENMKO
22+
SC-59
354000
詢價
力勤/CHENMKO
2019+PB
SC-59
85000
全新-特價大量供貨房間
詢價
更多CHM20P06PAPT供應商 更新時間2024-12-27 17:06:00