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71V416L10BEG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10BEG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71V416L10BEGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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71V416L10BEG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT71V416L10BEG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT71V416L10BEI	文件：107.36 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V416L10BEG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
4Mb（256K x 16）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
48-CABGA（9x9）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	71V416L10BEG	IDT, Integrated Device Technol	21+	63-VFBGA	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
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更多71V416L10BEG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-19 14:02:00

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