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71V416L10YG

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L10YG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V416L10YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L10YGI

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L10YGI8

3.3V CMOS Static RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416L10YGI

包裝：托盤 封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V416L10YGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V416L10BEG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10BEGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10BEI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10PHGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10YG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416L10YGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V416L10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V416L10YG供應(yīng)商 更新時間2024-11-19 14:37:00

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