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71V424L10YG

3.3V CMOS Static RAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V424L10YG

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424L10YG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V424L10YG8

3.3V CMOS Static RAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V424L10YG8

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424L10YGI

3.3V CMOS Static RAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V424L10YGI

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424L10YGI8

3.3V CMOS Static RAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V424L10YGI8

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424L10YGI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V424L10YGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V424L10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多71V424L10YG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 8:24:00

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