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71V416L10YG中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

71V416L10YG
廠商型號(hào)

71V416L10YG
參數(shù)屬性

71V416L10YG 封裝/外殼為44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
功能描述

3.3V CMOS Static RAM
文件大小

645.53 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IDT

中文名稱(chēng)

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-19 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V416L10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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