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71V416S15BEGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416S15BEGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT71V416S15YG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
71V416S15BEGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
4Mb（256K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
48-CABGA（9x9）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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