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LMAK10N06	文件：1.90426 Mbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MTM10N06E	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP10N06	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MTP10N06E	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SDD10N06	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司	SIRECTIFIER
SDD10N06	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
SDP10N06	文件：1.10774 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SK10N06	文件：963.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
SSPR10N06-C	文件：322.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TSJ10N06AT	文件：790.93 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微無錫紫光微電子有限公司	WUMC
TSM10N06	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSM10N06CP	文件：2.38028 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
TSM10N06CPRO	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFETfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFETfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNK10N06FM	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP10N06	文件：126.87 Kbytes Page：11 Pages	??MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNP10N06FI	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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更多LMAK10N06供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 9:18:00

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