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UPA2724UT1A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2724UT1A

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

UPA2724UT1A-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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UPA2724UT1A-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UPA2724UT1A-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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UPA2724UT1A-E2-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    UPA2724UT1A

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
2025+
QFN-8
32560
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RENESAS/瑞薩
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只有原裝原裝,支持BOM配單
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NEC
2023+
QFN-8
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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更多UPA2724UT1A供應商 更新時間2025-3-26 16:06:00